长江存储科技有限责任公司

2016年成立的半导体集成电路技术开发有限公司

长江存储科技有限责任公司（Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.简称“长江存储”）成立于2016年7月26日，总部位于武汉东湖新技术开发区未来三路88号，法定代表人陈南翔，主要经营半导体集成电路科技领域内的技术开发等业务。

发展历程

早期建立

2014年，长江存储的3D NAND闪存项目正式启动。2015年，9层3D NAND闪存测试芯片通过电气性能验证。2016年，长江存储第一代3D NAND闪存测试芯片设计完成。同年7月26日，长江存储科技有限责任公司（以下简称长江存储）正式成立。公司注册资本分两期出资，一期由国家集成电路产业投资基金股份有限公司、湖北国芯产业投资基金合伙企业（有限合伙）和湖北省科技投资集团有限公司共同出资，并在武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称武汉新芯）的基础上建立长江存储。赵伟国任长江存储董事长，丁文武和杨道虹任副董事长，王继增任监事长，杨士宁任总经理。武汉新芯将是长江存储的全资子公司。二期将由紫光集团和国家集成电路产业投资基金股份有限公司共同出资。

逐渐发展

2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动工，计划分三个阶段，共建三座3D-NAND Flash厂房。第一阶段的厂房已2017年9月完成建设，预计2018年第三季度开始搬入机台，第四季进行试产，初期投片量不超过1万片，用于生产32层3D-NAND Flash产品，并预计在自家的64层技术成熟后，再视情况拟定第二、第三期的生产计划。2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。2021年，第三代TLC/QLC NAND(X2-9060/X2-6070)量产eMMC/UFS量产出货长江存储1期工厂实现满产。2022年4月19日，长江存储科技有限责任公司宣布推出 UFS 3.1 通用闪存 ——UC023。2022年9月6日，韩媒“BusinessKorea”报道称，苹果公司已将中国闪存芯片厂商长江存储加入即将发布的iPhone14系列的供应商名单中。2023年9月26日，长江存储旗下零售存储品牌致态（ZhiTai）正式发布了Ti系列家族的首款产品——致态Ti600固态硬盘。这款固态硬盘采用长江存储原厂QLC闪存颗粒，并基于创新的晶栈® Xtacking® 3.0架构设计。其顺序读取速度高达7000MB/s，提供500GB、1TB和2TB三种容量选择。Ti600固态硬盘适用于商务办公、个人娱乐、生产力释放以及PS5主机游戏等多种场景。

2025年1月31日，外媒Tom's shardware报道，长江存储科技有限责任公司已开始出货第五代3D TLC NAND闪存，共有294层，以及232个有源层。2025年2月25日消息，韩媒ZDNet Korea报道称，三星将使用长江存储专利技术，系历史首次。据悉，近三星电子已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding）技术的专利许可协议，以便从其第10代（V10）NAND Flash产品（430层）开始使用该专利技术来进行制造。

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